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作者：杨涛;陈彩明;黄瑜佳;吴少平;徐华蕊;汪坤喆;朱归胜;
单位：桂林电子科技大学材料科学与工程学院,电子信息材料与器件教育部工程研究中心,广西信息材料重点实验室;广西中沛光电科技有限公司;
摘要：随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展，单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求，因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构，系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响，AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能，还保持了优良的光学性能。结果表明，在旋涂600μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175℃时，制备的复合ITO薄膜方阻为7.13Ω/,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10~(-3)Ω~(-1),实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。
关键词：ITO薄膜;;磁控溅射;;AgNWs;;导电网络;;复合薄膜;;光电性能;;溅射温度
基金资助：国家自然科学基金(62364007,U21A2065);; 广西科技计划(桂科AA21077018,桂科AD23023013,桂科AB23075218);; 桂林市科学研究与技术开发计划(20220120-1);; 电子信息材料与器件教育部工程研究中心重点基金(EIMD-AA202001)
