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作者：冷昊宁;孙霄霄;刘凤举;赵祥敏;
单位：牡丹江师范学院物理与电子工程学院;
摘要：通过基于密度泛函理论的第一性原理计算方法讨论了0～90 GPa内LiVO_3的结构、弹性性质与电子性质。计算得知LiVO_3在基态下最稳定的结构为C12/c1。当压强在0～4.2 GPa时，C12/c1结构与C1c1结构共同存在。压强在4.2 GPa时，材料会发生由C12/c1相到R3cH相的结构相变。通过弹性性质的计算得到零压下LiVO_3的体积模量、弹性模量、剪切模量分别为38、23、59 GPa,泊松比为0.24。材料为非中心力固体，呈现大的延展性，具有极大的弹性各向异性特性。电子结构的计算表明价带顶与导带底主要由O—V共价键作用，基态下C12/c1结构的LiVO_3是间接带隙半导体，带隙为3.016 eV。相变得到的R3cH结构是间接带隙半导体，带隙为2.56 eV,相变后电子更容易发生跃迁，明显改善了材料的导电性质。
关键词：LiVO_3;;第一性原理;;弹性性质;;电子结构;;结构相变
基金资助：牡丹江师范学院科学技术研究一般项目(YB2021002)
