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作者：汪开强;杨康;靖正阳;陈博文;涂兵田;王皓;
单位：武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室;
摘要：尖晶石型Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_4是优秀的介电和长余辉基体材料，透明陶瓷的制备有望扩大其应用领域。本文对Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_4陶瓷的无压烧结动力学进行研究，结果表明Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_4陶瓷烧结过程的致密化和晶粒生长均由O~(2-)晶界扩散控制，其烧结中期的致密化活化能为(426±35) kJ/mol,烧结末期的晶粒生长活化能为(439±14) kJ/mol。通过将烧结工艺参数控制在“烧结窗口”中，获得了良好的无压烧结体显微结构。经过高温热等静压处理后得到Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_4透明陶瓷，其光学透过范围为0.3～9μm,在2.5μm处直线透过率达到81.2%。
关键词：Zn_(1.1)Ga_(1.8)Ge_(0.1)O_4尖晶石;;透明陶瓷;;烧结路径;;致密化活化能;;晶粒生长活化能;;光学透明性
基金资助：国家重点研发计划(2023YFB3812000);; 国家自然科学基金(52272072);; 湖北隆中实验室自主创新研究项目(2022ZZ-13)
