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人工晶体学报2024年第11期:富加镓业突破性进展——国内首次实现坩埚下降法生长3英寸氧化镓晶体

来源:期刊VIP网 时间:


作者:齐红基;

单位:富加镓业;

摘要:<正>2024年7月,杭州富加镓业科技有限公司(简称“富加镓业”)在国内首次采用坩埚下降(VB)法生长了3英寸氧化镓单晶(见图1、图2),这是该公司在氧化镓单晶生长领域取得的又一次重大突破,标志着该公司在氧化镓单晶生产技术上又迈出了重要一步,为国内半导体材料的产业化注入了新的活力。富加镓业成立于2019年12月31日,是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技”企业,公司以“让世界用上好材料”为愿景,开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作。主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作,产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。