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兰州大学学报(自然科学版)2024年第02期:真空慢退火工艺对4H-SiC核辐射探测器性能的影响

来源:期刊VIP网 时间:


作者:杨凯;张春林;李海霞;李占奎;李荣华;卢子伟;

单位:兰州交通大学数理学院;中国科学院近代物理研究所;

摘要:制备了一种肖特基二极管结构的4H-SiC辐射探测器.在真空环境下,用不同的温度对欧姆电极进行慢退火处理,达到良好的欧姆接触.对其反向I-V特性和能量分辨率进行测试对比,欧姆电极在800℃条件下性能最好,在全耗尽状态下能量分辨率为1.36%,耐压测试运行稳定, 200 V偏压下漏电流仅有463 pA.与其他退火温度相比,该工艺下的4H-SiC探测器运行稳定,具有漏电流低、能量分辨率高的优势.

关键词:4H-SiC探测器;;欧姆电极;;退火;;能量分辨率

基金资助:国家自然科学基金青年基金项目(12005267);; 甘肃省自然科学基金项目(21JR11RA069)