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作者：赵邓小江;赵桂花;魏世龙;赵桂明;金兆鑫;毛著波;胡志昊;
单位：兰州石化职业技术大学土木工程学院;兰州理工大学能源与动力工程学院;兰州理工大学经济管理学院;
摘要：铌酸银(AgNbO_3,AN)作为高性能无铅反铁电材料，在光电器件领域具有巨大潜力。本工作采用AgCl作助溶剂成功生长出高质量AN单晶，并以其[001]取向作为研究对象。结果表明：该取向单晶在200kV/cm电场下储能密度(W_(rec))达1.34 J/cm~3，储能效率(η)为30%。尤为突出的是光电性能，该单晶耐受电压高达190 V，同偏压下，漏电流与电压线性对称，且随光功率增加而增大，展现了其在高电压、高功率光电应用的卓越性能，为其在光电器件领域的潜在应用提供参考。
关键词：铌酸银单晶;反铁电体;光电特性
基金资助：兰州石化职业技术大学科学研究项目(2024KY-27); 国家自然科学基金项目(51578273,51268036)
