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作者：刘文凯;刘赟;薛忠营;魏星;
单位：集成电路材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海市高端硅基材料重点实验室;
摘要：直拉单晶硅是当前集成电路制造的主流衬底材料。在直拉单晶硅生长过程中，石英坩埚的溶解会引入氧杂质，而单晶硅中的氧浓度直接影响衬底的电阻率、机械强度、金属吸杂能力和载流子寿命，因此，深入研究掌握直拉单晶硅氧输运的物理机制并实现晶体氧浓度的精确控制至关重要。本文首先介绍了直拉单晶硅生长的氧输运物理机制，并从坩埚溶解控制、熔体流动控制和自由液面挥发控制3个方面综述了氧浓度控制技术的研究进展，最后展望了氧控制技术的未来研究方向。
关键词：直拉单晶硅;氧输运;坩埚溶解;熔体流动;自由液面挥发
基金资助：中国科学院基础与交叉前沿科研先导专项(B类先导专项)(XDB0670102); 国家自然科学基金(62074152,62304232,62304233)
