来源：期刊VIP网 时间：
作者：吴若楷;余学功;杨德仁;
单位：浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和材料科学与工程学院;上虞半导体研究院;
摘要：大直径直拉单晶硅(Cz-Si)已成为微电子器件和太阳能电池的主流衬底材料。作为直拉单晶硅中最不可避免的杂质，氧杂质倾向于在晶体生长以及后续制程中形成氧关缺陷,这极大地影响了器件性能。目前，产业对大直径直拉单晶硅质量提出了更高的要求，这亟须对大直径直拉单晶硅中氧关缺陷有更深入的认知。本文围绕大直径直拉单晶硅中最为主要的几种氧关缺陷(氧关复合体、氧热施主、氧沉淀)研究现状，综述了氧关缺陷的形成机制以及电学性质。讨论了大直径直拉单晶硅中氧关缺陷的研究展望以及控制策略，以期为高质量大直径直拉单晶硅的生长和氧关缺陷控制提供理论指导。
关键词：大直径直拉单晶硅;氧关复合体;氧热施主;氧沉淀;电学性质
基金资助：国家自然科学基金(62025403)
