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作者：郝明;张雨豪;滕帅;刘佳兴;巴要帅;张虎忠;谢元华;刘坤;
单位：东北大学机械工程与自动化学院;兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室;
摘要：极紫外光刻技术是目前最先进的半导体制造工艺之一，而在工艺过程中，由于材料放气、光致物理化学反应等，产生的碳氢化合物和水蒸气等会进入到投影腔室，进一步在多层反射镜表面形成碳沉积，大幅影响产品质量同时增加了零部件的更换维修成本。采用气锁结构引入清洁气体能够有效地缓解污染源的扩散过程，是目前可行的技术手段。文章通过仿真和正交模拟实验的方法，对不同气锁结构下，清洁气体和污染气体的流量、温度开展研究，得到了不同工艺条件下气锁对污染气体的抑制率参数。研究结论为气锁结构的设计和工艺试验的参数选取提供了数值基础，也预期能够为同类型真空环境下的污染源控制手段提供技术思路。
关键词：极紫外光刻;;清洁技术;;气锁;;真空环境
基金资助：国家重点研发计划资助项目（2023YFF0717200）;; 国家自然科学基金联合基金项目（U22A20179）
