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作者：高尚;黄梦诗;肖飞;孙千;
单位：哈尔滨工业大学(深圳)材料科学与工程学院;广东省半导体光电材料与智能光子系统重点实验室;美信检测技术股份有限公司;华南理工大学材料科学与工程学院;
摘要：电子束诱导沉积（EBID）因沉积速率慢、沉积物纯度低等缺点，常被限制在离子束诱导沉积(IBID)工艺前的保护层制备等辅助性工艺中。文章针对工艺的效率提升与流程简化展开系统研究，重点分析了关键工艺参数对沉积速率和效果的影响，并提出了一种基于扫描电镜缩小框功能的简化工艺。研究表明，低加速电压条件下，沉积速率显著提高；束流与沉积厚度呈线性正相关；短驻留时间有助于获得更高的沉积速率。通过优化参数，研究实现EBID沉积效率达到0.03μm~3/nC，显著优于既往文献报道的效率范围。简化工艺无需依赖复杂的专用程序，操作便捷。特别是在对精度要求不高但重视效率的场景中，优化后的EBID工艺可在某些应用中完全替代IBID工艺。因此，通过优化聚焦离子束-扫描电镜中电子束诱导沉积的参数，提高沉积速率并简化操作流程，具有重要应用价值，为沉积保护层提供了全新的解决思路与替代方案。
关键词：电子束诱导沉积;;沉积速率;;工艺参数优化;;聚焦离子束-扫描电镜
基金资助：广东省重点实验室项目（2023B1212010003）;; 哈工大研究生教育教学改革研究项目（23MS031）;; 哈工大（深圳）教材建设项目（HITSZJC24009）;哈工大（深圳）创新实验项目（INEP1013）
