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作者：李筝;高远;刘森;桑利军;王正铎;刘忠伟;
单位：北京印刷学院等离子体物理与材料研究室;
摘要：石墨烯作为一种先进的功能碳材料得到了广泛应用，研究通过对高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术沉积的C:Ni:Cu体系薄膜的快速热退火，在300 nm SiO_2/Si基底上直接制备石墨烯。研究了C_2H_2流量、薄膜厚度、工作气压、退火温度、退火时间及退火升温速率等参数对石墨烯层数和质量的影响，在上述参数分别为2 sccm、48 nm、0.3 Pa、900℃、10 min、15℃/s时，成功制备了低缺陷密度的少层（I_(2D)/I_G≈1.23,I_D/I_G≈0.45,FWHM≈71 cm~(-1)）石墨烯。实验结果提供了一种较低温度下（700℃）在所需衬底上直接合成石墨烯的方法，对石墨烯制备技术的发展及石墨烯材料的应用具有重要意义。
关键词：石墨烯;;快速热退火;;高功率磁控脉冲溅射;;C:Ni:Cu薄膜
基金资助：国家自然科学基金项目（12475255）;; 北京市自然科学基金项目（2232061）;; 北京印刷学院项目（Eb202401; 21090124010）
