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作者：吴恩利;郭晓晓;柳俊;赵波;
单位：湖北九峰山实验室;
摘要：随着CMOS工艺不断缩小，高密度等离子体化学气相沉积技术(HDPCVD)由于其绝佳的间隙填充能力、稳定的淀积质量和可靠的电学性能而被广泛用于包括浅槽隔离(STI)、金属前绝缘层(PMD)，金属层间绝缘层(IMD)等介质层填充工艺中。然而，HDPCVD技术本身存在一些固有的制约，包括介质填充中的空洞缺陷和等离子体充电损伤等，限制了HDPCVD技术的进一步发展。文章主要对HDPCVD的两种缺陷的形成机理进行了综述，并总结了通过改变工艺配方和工艺流程来改善两种缺陷的方法，最后对HDPCVD技术进行了总结并提出了展望。
关键词：高密度等离子体;;化学气相沉积;;介质填充;;空洞缺陷;;等离子体充电损伤
基金资助：湖北省自然科学基金青年基金项目（2022CFB858）
