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作者：孔彦毅;王英如;肖剑荣;蒋爱华;
单位：桂林理工大学物理与电子信息工程学院;
摘要：在不同气体流量比下，采用磁控溅射技术制备了氮化铜（Cu_3N）薄膜，研究探索了结构与电催化析氢性能的关联机制。结果表明，随着气体流量比（R）从0.05增至0.25，薄膜中氮含量从16.08%显著提升至30.15%，铜含量相应降低；当R为0.20时，Cu_3N薄膜的光学带隙最小（1.32 eV），且电催化析氢性能最优，其过电位和塔菲尔斜率分别317.76 mV和259.28 mV·dec~(-1)。结果表明，富铜改变了Cu_3N的电子结构和活性位点分布，提升了析氢反应活性。研究为气体流量比调控Cu_3N薄膜的制备及其在氢能领域的应用提供技术参考。
关键词：氮化铜薄膜;;磁控溅射;;电催化析氢;;气体流量比
