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作者：吴啸;赵文;起文斌;宋林伟;李向堃;姜军;孔金丞;王善力;
单位：中国兵器科学研究院昆明物理研究所;
摘要：碲锌镉（CdZnTe, CZT）晶体因优异的物理特性在室温射线探测和HgCdTe红外探测领域占据重要地位。然而，CZT晶体生长过程中产生的点缺陷、沉积相和位错严重影响晶体质量和器件性能。研究表明，精心设计的退火工艺可有效降低沉积相密度，调控点缺陷浓度，提升晶体电阻率和载流子迁移率寿命积。本文深入分析了CZT晶体中缺陷的形成机理，系统评述了恒温退火、梯度退火、分步退火、器件退火、原位退火和溶液退火等技术的研究进展，比较了各种退火技术的优缺点及其对CZT晶体性能的影响，同时提出了未来研究应聚焦于深化退火机理的理解、开发新型退火技术、优化界面工程和实现智能化退火工艺，以进一步提升CZT晶体性能，推动其在高性能辐射探测和红外成像领域的应用。
关键词：碲锌镉;;缺陷抑制;;恒温退火;;梯度退火;;分步退火;;器件退火;;原位退火;;溶液退火
基金资助：云南省工业领域科技计划（202403AA080015）
