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作者：杨昊;哈斯花;朱俊;
单位：内蒙古工业大学理学院;内蒙古大学物理科学与技术学院;
摘要：本文提出了一种新型核/壳量子盘结构，其核层和壳层由第四代超宽带隙半导体Ga_2O_3和（Al_x Ga_(1-x)）_2O_3组成，通过结合有限差分法与变分法，研究该核/壳量子盘结构中杂质基态与非束缚态之间，以及不同杂质束缚态之间的光学子带间跃迁及其对应的光电离截面。采用数值计算，首次考虑了Al组分无序的相关影响。结果表明，组分无序效应对杂质基态向非束缚态跃迁对应的光电离截面影响可忽略不计。相比之下，组分无序引起的随机势涨落，使不同杂质束缚态之间的跃迁光电离截面在共振峰处表现出显著变化。这些发现可为进一步探索基于超宽带隙材料的光子学和光电设备的应用提供理论指导。
关键词：Ga_2O_3;;核/壳量子盘;;组分无序;;光电离截面;;结合能;;波函数
基金资助：国家自然科学基金（12164031,62364014）;; 内蒙古自治区自然科学基金（2025MS01031,2023LHMS01004）;; 内蒙古自治区直属高校基本科研业务费项目（JY20240041）
