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作者：师道田;孙晴;钱叶旺;刘传洋;吴卫锋;刘景景;汪新建;陈钟;阮再冉;王杨婧涵;
单位：池州学院机电工程学院;池州学院商学院;安徽省半导体产业共性技术研究中心;
摘要：本文利用基于蒙特卡洛方法的SRIM-2013软件，模拟10～1 000 keV能量质子对β-Ga_2O_3的辐照损伤，并结合热电子发射（TE）模型研究质子辐照对β-Ga_2O_3肖特基势垒二极管（SBD）反向漏电性能的影响。模拟结果表明，核外电子阻止能力远大于原子核阻止能力。随着质子辐照剂量增加，原子平均离位（DPA）和Ga空位（V_(Ga)）浓度逐渐增大，峰值分别为0.007 65和3.48×10~(20) cm~(-3)。随着辐照能量增加，虽然辐照损伤逐渐深入到β-Ga_2O_3靶材内部，但是DPA和V_(Ga)浓度逐渐降低。热电子发射模型分析表明，当载流子浓度从1×10~(19) cm~(-3)降低到1×10~(16) cm~(-3)时，反向漏电流密度减小，器件反向漏电性能得到明显改善。质子辐照产生的大量V_(Ga)补偿部分载流子，削弱了镜像力对肖特基势垒的影响，可能是β-Ga_2O_3 SBD器件反向漏电性能改善的主要原因。
关键词：β-Ga_2O_3;;质子辐照;;SRIM;;肖特基势垒二极管;;热电子发射
基金资助：池州学院高层次人才科研启动基金项目(CZ2024YJRC28);池州学院新能源与节能技术研究中心(KYJG002);; 安徽省高校协同创新项目GXXT-2022-088);; 大学生创新创业训练计划(S202511306123,S202511306142)
