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作者：张辉;钱珺;
单位：南京工业职业技术大学,江苏省工业感知及智能制造装备工程研究中心;东南大学机械工程学院;
摘要：单晶硅各向异性湿法刻蚀特征表现较为复杂且极易受刻蚀条件及掩膜形状的影响，这导致其刻蚀结构面演化过程和形貌结构难以实现准确预测和控制。本研究基于单晶硅全晶面刻蚀速率和掩膜刻蚀结构的实验数据，详细分析了各向异性刻蚀机理及掩膜刻蚀成型过程，并利用Level-Set插值方法构建了单晶硅刻蚀形貌仿真模型（Si-LST），实现了利用少量晶面刻蚀速率精确插值全晶面刻蚀速率及任意掩膜下刻蚀形貌的精确模拟。结果表明，Si-LST针对凹膜、凸膜及复合掩膜均有较高的仿真精度，可以为单晶硅微结构加工成型和表面质量控制提供高效的工艺设计辅助。
关键词：单晶硅;;湿法刻蚀;;各向异性;;刻蚀机理;;形貌模拟
基金资助：江苏省“青蓝工程”优秀青年骨干教师项目资助(202050225RS003)
