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作者：张国超;杨森;岳娜;张聪;郭辉;
单位：西安晟光硅研半导体科技有限公司;
摘要：聚焦氮化镓(GaN)晶体材料的微射流激光切片工艺，旨在通过响应面法优化切片工艺参数，以提升切割表面的质量。研究选取表面粗糙度作为关键响应指标，系统探讨耦合功率、水压及切割速度对表面粗糙度的影响，并建立了相应的数学模型。实验结果表明，优化的工艺参数为耦合功率15.19 W、水压25.069 1 MPa、切割速度408.22 mm/min。此参数组合下切割表面质量显著提升，预测值与实际测试值的误差小于5%。
关键词：微射流激光;;氮化镓;;切片;;响应面法;;表面粗糙度
