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作者：田源;汪波;李存成;余健;桑夏晗;赵文俞;
单位：武汉理工大学材料科学与工程学院;山东理工大学材料科学与工程学院;九江学院材料科学与工程学院;
摘要：本研究通过区熔法制备了一系列碘化物(SbI_3,BiI_3,TeI_4)掺杂的n型Bi_2Te_(3-x)Se_x材料，发现碘化物掺杂能够有效稳定载流子类型，显著提高材料电导率，降低晶格热导率。当SbI_3、BiI_3、TeI_4掺杂量分别为0.14 wt%、0.12 wt%和0.07 wt%时，材料在405、350和362 K时获得最大ZT值0.85、1.05和0.96,比商用n型材料分别提高了21%,36%和28%。
关键词：n型碲化铋;;区熔法;;碘化物掺杂;;热电性能
基金资助：国家重点研发计划资助项目(2018YFB0703603,2019YFA0704903);; 国家自然科学基金资助项目(11834012,52130203,51902237)
