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作者：孟宗羿;杨尊先;郭太良;
单位：福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室;
摘要：量子点（QDs）纳米晶体具备出众的窄半峰宽，且尺寸和发光波长易调节等优点，成为纳米材料领域的新星，而量子点电致发光二极管（QLED）的应用也随之得到研究人员的关注。文章的研究通过材料配比的设计，调节CdZnS-QDs的尺寸和发光波长，使其在CdSe-QDs基QLED中辅助器件的性能提升，最终能得到光致发光波长在425～455 nm的蓝紫色CdZnSQDs。使用宽带隙的CdZnS-QDs作为器件的无机插入层材料，能够对CdSe-QDs作为发光层的QLED的能带匹配、激子传递和界面修饰等进行优化。通过对比实验探索最佳的QDs合成策略，精确控制QDs的发光峰位，并将得到的结晶性强且尺寸均匀的量子点制备CdSe-QDs基电致发光器件，在发光层与无机电子传输层之间插入制备的CdZnS-QDs，得到的器件在电流密度为1000 mA/cm~2时，亮度从227188 cd/m~2提升到313775 cd/m~2，最大的电流效率达到38.1 Cd/A。该方法可以为QLED结构的设计提供新的思路。
关键词：无机插入层;量子点发光二极管;CdZnS量子点
基金资助：国家科技部重点研发计划(2023YFB3611203;2016YFB04010503;2016YFB0401305;2016YFB0401103); 国家自然科学基金项目(62374032;61574039); 福建省自然科学基金计划(2022J01078)
