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作者：薛炳君;郭世龙;严焱津;
单位：三峡大学电气与新能源学院;
摘要：随着SiC MOSFET器件的广泛应用，其可靠性问题备受关注。键合线失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因，因此需要对其进行状态监测以保证器件的正常运行。文中提出一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法。当键合线失效时，其等效阻抗会发生变化，故在开尔文源极和功率源极之间注入恒定的高频脉动电流，将阻抗的变化转换为开尔文源极和功率源极两端电压的变化，通过该电压对键合线健康状态进行监测。实验结果表明，所提方法监测参量的变化可以直观地反映失效键合线的数目。该方法通过外加高频脉动电流源实现对键合线的监测，只需测量对应电压，参数提取简单，特征参量与键合线失效关系明显，无需复杂的数据处理和计算；此外，还不受源极电流等功率回路参数和驱动回路的影响，电路结构精简可靠，具有在线监测的潜力。
关键词：SiC MOSFET器件;;键合线状态监测;;开尔文封装;;键合线失效;;监测电路;;高频脉动电流
