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作者：于莉媛;徐国龙;褚泰然;
单位：天津工业大学电子与信息工程学院;国网吉林省电力有限公司;
摘要：目前，增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的仿真模型存在仿真时间长、复杂度高且收敛性不好等问题。为了解决GaN HEMT器件在电力电子电路中仿真收敛性和准确性差的问题，提出一种非分段的GaN HEMT SPICE模型。使用非分段连续方程对GaN HEMT器件的静态和动态特性进行建模；再对GaN HEMT的输出特性进行仿真，并与Si MOSFET的仿真结果进行对比。仿真结果表明，所提模型的收敛性较好，收敛速度快，有较高的准确性。另外，将此模型应用于EF2类功率放大器中，研究该模型对传输效率的影响。仿真结果进一步表明：该模型具有良好的收敛性；且当开关频率为10～20 MHz，输入功率为75 W时，输出功率可达73 W，传输效率为95%，这也证明了GaN HEMT器件可以提高EF2类功率放大器的传输效率。
关键词：GaN HEMT;;EF2类放大器;;I-V特性;;电子电路;;Si MOSFET;;传输效率
