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作者：谭炳源;郭江;姚栋方;肖雄;陈崇明;章芳情;
单位：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心;武汉大学动力与机械学院;
摘要：为提高5G通讯关键半导体材料碳化硅的生长速率提出了一种新的思路，对碳化硅晶体制造的关键技术物理气相运输法进行研究，通过构建包含热场、流场以及多孔介质在内的多物理场，分析了碳化硅生产过程中的流动及传热传质情况，同时提出了一种改进式的坩埚结构，在坩埚中心增加若干多孔碳管。计算结果表明，新坩埚结构能够提高坩埚中心粉源温度，并有利于多孔粉源内部的碳化硅气体逸出，提高籽晶表面的过饱和度，进而提高晶体生长速度。
关键词：智能计量装置;;5G通讯;;碳化硅;;多孔碳管;;数值模拟;;传热传质
基金资助：国家重点研发计划项目(编号：2020YFB1709704)
