来源：期刊VIP网 时间：
作者：赵青松;牛晓东;顾小英;狄聚青;
单位：安徽光智科技有限公司,安徽省先进光电子材料及系统产业创新研究院;
摘要：高纯锗探测器具有分辨率高、探测效率高、稳定性好等优点，应用越来越广泛，但是其关键原材料超高纯锗单晶需要满足极高的纯度和晶体结构要求，制备难度很大。国内超高纯锗单晶制备技术仍不成熟，制备的晶体质量仍不够高。利用直拉法和自制设备，在氢气气氛下生长了大尺寸的超高纯锗单晶，通过低温霍尔测试、位错测试和深能级杂质测试，对晶体性能进行了分析表征，结果表明其净载流子浓度小于1×10~(10) cm~(-3),深能级杂质浓度小于4.5×10~9 cm~(-3),位错密度小于5 000 cm~(-2),位错线数量小于3条，符合探测器级超高纯锗单晶的要求，最终得到直径85 mm和长度60 mm的合格晶体。
关键词：锗探测器;;超高纯锗单晶;;霍尔测试;;净载流子浓度;;位错密度;;深能级杂质浓度
基金资助：2022—2023年度核能开发科研项目高纯锗能谱仪工程化技术研究(HNKF202224(28))
