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作者：高嘉庆;屈小勇;吴翔;郭永刚;王永冈;汪梁;谭新;杨鑫泽;
单位：青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;
摘要：为深入研究p型TOPCon结构的制备工艺和钝化性能，本文通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧气流量、氧化温度和氧化时间对氧化层质量的影响，以及在不同硼扩散温度下p-poly的钝化性能和方块电阻。实验结果表明，氧气流量达到15 slm(标准升每分钟)以上，p-poly的隐开路电压平均值达到730 mV,暗饱和电流密度低至3.5 fA/cm~2。氧化温度和时间分别达到620℃和30 min时，p-poly的隐开路电压可提升至735 mV;随着氧化温度的提高或者氧化时间的延长，p-poly的隐开路电压趋于稳定。硼扩散温度为960℃时，p-poly的方块电阻保持在132Ω/,硅基体中的掺杂结深为0.25μm,获得了良好的钝化性能。本文所确定的工艺参数可制备出具有良好钝化性能的p-poly结构，对未来p型TOPCon结构在高效晶硅电池上的产业化应用提供了一定的数据支撑。
关键词：p型TOPCon结构;;低压化学气相沉积;;钝化质量;;隐开路电压;;暗饱和电流密度;;太阳能电池
基金资助：国家电投黄河上游水电开发有限责任公司科研项目(KY-C-2023-GF06)
