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作者：郝敬林;邓丽芬;王凯悦;宋惠;江南;西村一仁;
单位：太原科技大学材料科学与工程学院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,海洋材料及相关技术重点实验室,浙江省海洋材料与防护技术重点实验室;
摘要：金刚石具有超高热导率、宽禁带等优点，通过掺杂引入电子和空穴等缺陷，提升载流子浓度，可以使金刚石具有适合半导体应用的电导率，被称为第三代终极宽禁带半导体材料。本文首先介绍了金刚石单晶的高温高压合成方法，接着系统综述了基于高温高压法的金刚石掺杂研究现状和发展，然后分析了N、B、P和S等单元素掺杂及多元素共掺杂对金刚石晶体生长和电学性能的影响，并且对第一性原理计算研究金刚石掺杂进行了分析总结。高温高压退火可以有效改变金刚石中掺杂元素与空位等缺陷组合和分布状态，本文明晰了金刚石中含氮色心形成的原因及高温高压退火对色心的调控机制。最后对金刚石掺杂以及掺杂后金刚石的光学性能和电学性能研究前景进行了展望，指出可进一步探索多元素共掺杂的理论与实验方法，对提升掺杂金刚石性能具有重要意义。
关键词：金刚石;;高温高压;;掺杂;;含氮色心;;退火;;第一性原理计算
基金资助：国家重点研发计划(2022YFB3706602,2021YFB3701801);; 宁波市重点科技项目(2022Z191);; 宁波市甬江人才引进计划(2021A-037-C,2021A-108-G);; 中国科学院青年基金(JCPYJ-22030);中国科学院项目(ZDKYYQ2020001);; 宁波市重大科技攻关专项(2021ZDYF020196)
