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作者：张博;宋志成;倪玉凤;魏凯峰;
单位：青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
摘要：为提升隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池光电转换效率，本文通过高温扩散在n型TOPCon电池正面制作p型隧穿氧化层钝化接触结构，提升发射极钝化性能，减少正面金属复合。本文研究了不同沉积时间、推进温度、推进时间等工艺参数对实验样品钝化性能及掺杂曲线的影响。实验结果表明，当沉积时间为1 500 s,推进温度为920℃,推进时间为20 min时，掺硼多晶硅层可获得较优的钝化性能及掺杂浓度，其中样品多晶硅层硼掺杂浓度达到1.40×10~(20) cm~(-3),隐开路电压(iV_(oc))大于720.0 mV。依据该参数制备的TOPCon电池光电转换效率可达23.89%,对应的短路电流密度为39.36 mA/cm~2,开路电压(V_(oc))达到726.4 mV,填充因子(FF)为83.54%。
关键词：TOPCon电池;;钝化接触;;硼扩散;;钝化;;电流密度;;光电转换效率
