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作者:莫秋燕;欧满琳;张颂;荆涛;吴家隐;
单位:凯里学院大数据工程学院;凯里学院理学院;广东开放大学(广东理工职业学院)工程技术学院;
摘要:采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VI族元素(O、S、Se、Te)修饰对二维AlN电子性质的影响。计算结果表明,O修饰后,二维AlN体系的能带发生劈裂,从而转变为磁性材料;S、Se和Te修饰后,二维AlN电子态密度曲线自旋向上和自旋向下完全对称,形成了非磁性结构。从态密度图可以看出,费米能级附近的态密度主要由修饰原子的p态电子和N原子的p态电子贡献,导带底部逐渐向低能区移动,导致二维AlN的吸收波长阈值从紫外线区域向可见光移动。因此,修饰的二维AlN光催化效率提高,并有应用于可见光响应的光电子和自旋电子器件的可能。
关键词:二维AlN;;VI族元素;;修饰;;第一性原理;;电子结构;;磁性
基金资助:凯里学院微纳与智能制造教育部工程研究中心重点研究方向项目(2024WZG09);; 黔东南州科技计划([2022]08);; 广东省普通高校重点科研平台和科研项目(2023ZDZX1069)