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作者：万前银;王强;刘双全;黄先超;肖雄;宋宝林;蒋赟睿;陶祖才;丁雨憧;
单位：中电科芯片技术(集团)有限公司;中国电子科技集团公司第二十六研究所;中国科学院高能物理研究所,北京市射线成像技术与装备工程技术研究中心;
摘要：闪烁晶体的光输出性能会受到晶体温度的影响。掺铈钆镓铝石榴石(Gd_3(Ga,Al)_5O_(12):Ce,GAGG:Ce)闪烁晶体在医学成像、辐射监测、高能物理等领域应用广泛。为研究GAGG:Ce晶体光输出的温度特性,本文设计了晶体温度为单一变量的实验,测量了GAGG:Ce晶体在-30～60℃、121.8～1112.1keV的7个能量γ射线的全能峰峰位随温度的变化,得到了GAGG:Ce晶体光输出随温度的变化曲线,并分析了晶体光输出与温度的线性关系;采用一次函数拟合了不同温度下121.8～1112.1keV的7个能量与γ谱线相应道址的能量线性,其线性拟合的决定系数R~2大于0.9999,证明了GAGG:Ce晶体具备良好的能量线性。
关键词：闪烁晶体;;GAGG:Ce;;温度响应;;光输出;;能量线性
基金资助：国家重点研发计划(2022YFF0707900)
