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作者：齐红基;
单位：富加镓业;
摘要：<正>近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)在第一轮器件验证基础上,优化分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)工艺,大幅提升外延片性能,基于此外延片研制的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)横向功率器件,其电流密度提升78.3%,比导通电阻下降约50%,具备显著国际竞争优势。上述工作得到国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目支持(项目编号:2022YFB3605500)。
