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作者：白敬元;杨洪广;占勤;窦志昂;张志坤;
单位：中国原子能科学研究院;
摘要：使用AZ6130光刻胶作为等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀掩膜，分析了前后烘温度、匀胶转速及曝光剂量对光刻胶侧壁形貌的影响，探究了ICP功率对光刻胶掩膜及氮化硅刻蚀形貌的影响。结果表明：当前烘温度为90℃、后烘温度为110℃、匀胶转速为6000 r/min、曝光剂量为57.6 mJ/cm~2时，可以得到截面形貌较佳的光刻胶掩膜；当ICP功率为300 W、RF功率为50 W、腔室压力为5 mTorr、CF_4流量为50 mL/min、N_2流量为50 mL/min、托盘温度为10℃时，可以得到刻蚀缺陷较少的氮化硅微结构，该工艺的刻蚀速率为1.71 nm/s、刻蚀选择比为0.83。
关键词：光刻;;氮化硅;;感应耦合等离子体(ICP)刻蚀
基金资助：中核集团英才基金(219601)
