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作者：李晓川;马三宝;周锋子;任永鹏;马武祥;梅昊天;
单位：龙门实验室;麦斯克电子材料股份有限公司;河南科技大学物理工程学院;
摘要：在<111>晶向重掺锑硅单晶晶棒拉制过程中经常出现由于小平面效应而产生的中心管道，从而影响硅片最终质量，因此迫切需要解决此问题。本研究针对8英寸（1英寸=2.54 cm）直拉重掺锑硅单晶中心管道问题提出理论解决方案并采用CGSim软件进行模拟验证。结果表明：增大拉晶速度（V）和晶体旋转速度（M）同时减小坩埚旋转速度（N）可以有效抑制小平面效应，显著改善固液界面形状、增大温度梯度、增大固液界面附近熔体流速，有效减小晶体热应力。最佳的工艺参数为：V=0.7 mm/min、M=17 r/min、N=-7 r/min。
关键词：重掺锑硅单晶;;管道问题;;小平面效应;;数值模拟
基金资助：龙门实验室重大科技项目(231100220100);龙门实验室前沿探索项目(LMQYTSKT012)
