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作者：陈灿;胡祎哲;张智瑾;潘建国;潘尚可;
单位：宁波大学材料科学与化学工程学院;
摘要：本文采用重结晶法和区域熔炼法提纯γ-CuI原料，使用坩埚下降法生长出了不同Zn离子浓度掺杂的γ-CuI单晶，并对其晶体结构、光致发光、X射线激发发射光谱和荧光寿命进行了详细研究。XRD和SEM测试结果表明，所合成的样品为高纯的γ-CuI,Zn离子能掺入γ-CuI单晶中。光致发光光谱和X射线激发光谱结果表明，Zn离子掺杂后自由激子和Cu~+空位的发射得到增强，深能级发射被抑制。在Zn离子掺杂浓度为5%时，Cu_(0.95)I∶Zn_(0.05)晶体的荧光寿命为0.36 ns，明显优于γ-CuI的0.62 ns。
关键词：γ-CuI晶体;;Zn离子掺杂;;重结晶提纯;;区域熔炼法;;坩埚下降法;;超快衰减时间
基金资助：国家自然科学基金(12375180,61775108)
