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作者：杨季薇;董玲;谷东;徐华蕊;赵昀云;杨涛;李海平;李杰;朱归胜;
单位：桂林电子科技大学材料科学与工程学院电子信息材料与器件教育部工程研究中心广西信息材料重点实验室;广西北部湾大学石油与化工学院;
摘要：采用直流（DC）磁控溅射法，通过对透明导电薄膜氧化铟锡（ITO）进行结构调控，分析其中的载流子浓度、迁移率等变化，着重探究了薄膜的厚度对红外波段反射率的影响，诠释了薄膜厚度与光电性能之间的构效关系。通过设定特定的溅射功率、衬底温度、气氛控制ITO薄膜的薄膜厚度，得到了100～500 nm厚度的薄膜，实现了高（400）取向、高红外反射率、高可见光透过率的氧化铟锡薄膜的制备。构建的特殊膜层厚度，构成了协同的载流子浓度与迁移率，缓解了一部分漫反射的影响，在膜厚为400 nm时，平均可见光透过率为89.51%，实现了2.5～15μm宽谱段97.37%的平均红外反射率。且所得薄膜品质因数高达815.19×10~(-4)Ω~(-1)，显著优于已报道的透明导电薄膜体系，解决了可见光与红外兼容隐身的问题，为频谱兼容光学隐身材料及智能窗的制备提供了新的思路。
关键词：氧化铟锡薄膜;;直流磁控溅射;;红外隐身;;厚度;;光电性能;;霍尔参数
基金资助：国家自然科学基金(62364007,U21A2065);; 广西科技计划(桂科AA21077018,桂科AD23023013,桂科AB23075218);; 桂林市科学研究与技术开发计划项目(20220120-1)
