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作者：罗凯;肖易;蒋琬玉;贾永峰;蒋玉苹;曹林洪;符亚军;
单位：西南科技大学材料与化学学院;
摘要：采用直流磁控溅射在单晶硅基底上制备了2μm厚的氮化铈（CeN）薄膜，并研究了CeN在大气环境中的氧化行为。鉴于CeN在大气环境中容易与氧气反应而劣化分解这一问题，在CeN上沉积了不同厚度的钛（Ti）或铬（Cr）抗氧化涂层以提高其抗氧化性能。实验结果表明，Ti/CeN复合薄膜在大气环境中暴露较短时间内就会起皮脱落；2.4μm Cr/2μm CeN复合薄膜可以有效地延长CeN在大气环境中的存放时间。最后，探讨了CeN与抗氧化层复合薄膜的氧化机理。
关键词：磁控溅射;氮化铈;抗氧化涂层
基金资助：四川省自然科学基金项目(23NSFTD0044); 中广核委托项目
