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作者：何亚东;袁刚;李拓;周毅;程晓敏;霍宗亮;
单位：长江存储科技有限责任公司;华中科技大学集成电路学院;华中科技大学化学与化工学院;
摘要：文章通过电子束检测（EBI）手段研究了等离子体增强原子层沉积（PEALD） SiO_2过程中硅烷基酰胺类前驱体副产物对多晶硅产生不可逆损伤的机理。提出用单胺基硅烷基酰胺替代多胺基硅烷基酰胺作为前驱体，来减轻对多晶硅材料的损伤。在不损伤多晶硅前提下，进一步研究化学位阻较小的单胺基前驱体二异丙胺硅烷（DIPAS）对反应速率的影响。
关键词：等离子体增强原子层沉积;硅烷基酰胺;氧化硅;二异丙胺硅烷(DIPAS)
