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作者：张军;沈玙璠;苏天聪;
单位：吕梁学院化工与材料工程系;山西师范大学磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室;
摘要：BaTiO_3(BTO)铁电氧化物薄膜因其在非易失信息存储、智能传感、生物医疗、纳米发电机等领域潜在的应用而受到了人们的广泛关注。目前，为了保证BTO薄膜能高质量外延生长，通常选择晶格匹配的氧化物做衬底，所生长的薄膜与衬底之间存在较强的化学键，很难将其从衬底上大面积地剥离下来，所以也无法实现下一步转移到可用于高密度器件集成的的Si基衬底上。文章使用水溶Sr_3Al_2O_6(SAO)为牺牲层的方法，将生长在Nb-SrTiO_3(Nb-STO)衬底上的BTO外延薄膜可以大面积、无褶皱地转移到Si基衬底上。并且，转移后的自支撑薄膜仍然保持了完美的结晶度和室温铁电性。此结论对自支撑氧化物薄膜在高密度铁电器件的集成方面奠定了一定的基础。
关键词：BaTiO_3薄膜;铁电性;自支撑;柔性器件
基金资助：国家自然科学基金面上项目（12174237）; 山西省自然科学基金面上项目（202203021211335）; 先进永磁材料与技术省部共建协同创新中心项目（2022-05）; 吕梁市引进高层次科技人才重点研发项目（2023RC24）
