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作者：王佳琳;师俊杰;彭彦军;周泽民;周雄;桂庆忠;郭宇铮;
单位：广西电网有限责任公司;广西电网有限责任公司桂林供电局;
摘要：利用第一性原理计算，系统性地研究了β-Ga_2O_3/4H-SiC异质结界面的结构和电子性质。利用满足电子计数规则的成键模型，构建了具有粗糙度小和带隙干净的绝缘界面，Si-O键在该界面的化学键中占主导地位。计算结果表明：对于β-Ga_2O_3和4H-SiC而言，利用杂化泛函计算得到的带隙分别为4.7 eV和3.35 eV，与实验值吻合较好；对于β-Ga_2O_3/4H-SiC异质结界面，该界面表现出半导体特性，其直接带隙为0.46 eV；同时，β-Ga_2O_3与4H-SiC形成Ⅱ型能带对齐，计算得到的价带偏移为1.72 eV，导带偏移为0.18 eV。所得结果对设计基于β-Ga_2O_3和4HSiC的电子器件具有重要意义。
关键词：Ga_2O_3/4H-SiC异质结;;界面性质;;能带对齐;;第一性原理计算
基金资助：广西电网公司科技项目资助（项目编号：GXKJXM20220095）
