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作者：刘京明;杨俊;赵有文;杨成奥;蒋洞微;牛智川;
单位：中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室;光电子材料与器件重点实验室(中国科学院);中国科学院大学;中国科学院大学材料科学与光电技术学院;
摘要：近年来，锑化物红外技术发展迅速，成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展，人们对GaSb单晶片的需求日益剧增的同时也对其质量提出更高的要求。GaSb单晶片质量直接影响着外延材料和器件性能，这就要求GaSb单晶片具有大尺寸、更低的缺陷密度、更好的表面质量和一致性。本文就GaSb晶体材料的性质、制备方法、国内外机构的研究进展及其应用情况进行了综述，并对其发展前景和趋势进行了展望。
关键词：锑化镓;;化合物半导体;;锑化物;;晶体;;红外光电器件
基金资助：国家自然科学基金(62374161)
