来源：期刊VIP网 时间：
作者：孟佳源;李毅;赵裕春;武浩荣;汪雪松;骆婉君;虞澜;
单位：昆明理工大学材料科学与工程学院;
摘要：采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶，分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_2多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响，探讨了Mg掺杂增强CuCrO_2陶瓷电导率各向异性的机制。当x≤0.030时，多晶为菱方R3m单相结构，随着掺杂量的增加，晶粒在面内充分长大，气孔和晶界减少，致密度逐渐提高，多晶呈现热激活半导体电输运行为；当x=0.030时，面内取向因子F_((00l))达到最高值0.912,面内c轴择优取向远优于厚度方向，面内和厚度方向的CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶室温电阻率分别显著下降至1.80×10~(-3)和3.16×10~(-3)Ω·m,这是由于其结构各向异性的差异，热激活能均减小至0.03 eV,c轴择优取向对热激活能影响并不明显，最大载流子浓度比母相均增加3个量级，晶界缺陷更少，平均自由程增大，输运能力更强，电导率更高。实验表明最优掺杂量为x=0.030,当掺杂量x高于0.030时，出现MgCr_2O_4尖晶石杂相，样品的微观结构和电输运性能变差。
关键词：c轴择优;;CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶;;各向异性;;电阻率;;晶界缺陷;;电输运
基金资助：国家自然科学基金(51962017,51462017)
