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作者：陈沛然;焦腾;陈威;党新明;刁肇悌;李政达;韩宇;于含;董鑫;
单位：吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室;
摘要：本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺，在p(111)型Si衬底上制备了p-Si/n-Ga_2O_3结构的PN结。通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析；通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长Ti/Au电极并进行I-V特性曲线、开启电压、开关电流比、反向饱和电流、理想因子、零偏压下的势垒高度等结特性测试，研究了掺杂浓度与薄膜厚度对PN结特性的影响，并对其原因进行了分析；通过二步生长法和缓冲层温度优化实验，减少了Si衬底与β-Ga_2O_3之间的晶格失配与热失配带来的影响，对薄膜与器件特性进行了优化。最终获得了表面粗糙度最低可达到4.21 nm的高质量n型β-Ga_2O_3薄膜，以及具有较低理想因子(42.1)的PN结。
关键词：β-Ga_2O_3薄膜;;金属有机化学气相沉积;;p-Si/n-Ga_2O_3;;PN结;;晶体质量;;电学特性
基金资助：吉林省自然科学基金(20230101124JC,20220101119JC);; 国家重点研发计划(2022YFB3605500)
