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作者：雷莎莎;龚巧瑞;赵呈春;孙晓慧;杭寅;
单位：上海工程技术大学数理与统计学院;中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能材料部;中国科学院大学材料与光电研究中心;
摘要：宽禁带半导体材料因独特的物理和化学特性，在光电器件等领域展现出巨大的潜力，受到了越来越多的研究和关注。镓酸锌(ZnGa_2O_4)作为一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、结构独特、热稳定性良好等优点，在日盲紫外光电探测、X射线探测等领域具有广阔的应用前景。本文从ZnGa_2O_4的基本结构特性出发，详细介绍了ZnGa_2O_4的禁带宽度、光电性能以及ZnGa_2O_4体块单晶和薄膜的制备方法。结合国内外学者近期的一些研究成果，概述了ZnGa_2O_4在多个领域的应用前景，特别是日盲紫外光电探测、忆阻器、X射线探测和功率器件等方面的研究进展。最后对ZnGa_2O_4材料的未来发展方向提出了展望，指出可进一步提升ZnGa_2O_4材料的质量和性能，以提升器件性能，满足更高级别的应用需求。
关键词：ZnGa_2O_4;;宽禁带半导体;;光电性能;;制备方法;;应用
