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作者：孙元龙;胡子钰;郑国宗;
单位：福建师范大学化学与材料学院;中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院大学福建学院;
摘要：卤化物钙钛矿材料作为一种新型的半导体材料，具有材料廉价和光电转换性能优异的优点，基于该材料的各类光电器件已经开始逐步应用。虽然多晶薄膜仍然是主要的研究方向，但其具有形态无序、杂质较多的缺点，而单晶具有无晶界、低缺陷的特点，因此基于大尺寸单晶的研究开始被广泛关注。本文设计了一套内外反控温循环过滤生长装置，采用逆温结晶和籽晶相结合的方法制备了直径大于60 mm的CH_3NH_3PbBr_3单晶，对晶体样品进行了物相、微观形貌、光学和电学性能的研究。该晶体属于立方晶系，空间群为■;紫外-可见吸收光谱显示吸收截止边约为576 nm,荧光发射谱峰值552 nm;摇摆曲线显示晶体(100)晶面半峰全宽为91.42″。切割抛光后的晶片光响应灵敏，开关比为2.4×10~3。
关键词：CH_3NH_3PbBr_3单晶;;卤化物钙钛矿;;内外反控温循环过滤;;晶体生长;;光电性能;;逆温结晶
