来源：期刊VIP网 时间：
作者：钟琼丽;王绪;马奎;杨发顺;
单位：贵州大学大数据与信息工程学院;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室;半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心;
摘要：近年来，半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展，因此超宽禁带半导体材料β-Ga_2O_3具有广阔的应用前景，而有效掺杂是实现β-Ga_2O_3器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_2O_3/Al/Ga_2O_3/Al/Ga_2O_3复合结构，经高温退火使Al原子热扩散进入薄膜中，形成Al掺杂的β-Ga_2O_3薄膜。采用激光区熔法使薄膜区域熔化再结晶，进一步提升掺杂质量。对Al掺杂β-Ga_2O_3薄膜的晶体性质、杂质含量及光学性质进行了测试表征。结果表明：Al掺杂不改变β-Ga_2O_3薄膜的晶体结构；随着Al层溅射时间延长，掺杂含量逐渐增加；当Al溅射时间为5和10 s时，薄膜紫外吸收率分别为40%和50%;随着Al溅射时间的增加，Al掺杂β-Ga_2O_3薄膜紫外区域光吸收率逐渐增强，Al溅射时间为300 s时，β-Ga_2O_3薄膜的光吸收率接近90%;低浓度的Al掺杂会导致β-Ga_2O_3薄膜的禁带宽度变窄。
关键词：β-Ga_2O_3薄膜;;Al掺杂;;磁控溅射;;Ga_2O_3/Al/Ga_2O_3/Al/Ga_2O_3复合结构;;光吸收;;光学带隙
基金资助：半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金项目(ERCME-KFJJ2019-(01))
