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作者：李阳;曹昆;介万奇;
单位：西北工业大学材料学院;辐射探测材料与器件工信部重点实验室;
摘要：衬底的表面质量对生长膜层的质量有重要影响，衬底表面的粗糙度、均匀性、附着物残留及氧化层均是其表面质量的评价标准。本文报道了一种热处理方法，通过近距离升华设备原位去除GaSb(001)衬底上的氧化层后用于制备CdZnTe外延膜。通过控制热处理的温度和时间，获得洁净且平整的较优衬底状态。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱表征了热处理对GaSb衬底形貌和成分的影响，采用双晶X射线摇摆曲线对经过热处理后的GaSb衬底上生长的CdZnTe外延膜的结晶质量进行了评价。为了深入研究这种异质界面附近微观缺陷的性质和外延形成机制，还对CdZnTe/GaSb截面进行了TEM分析研究。GaSb衬底在600℃经过180 s热处理后，可以去除衬底表面大部分氧化物且相对平整，提高了CdZnTe外延膜的结晶质量，在双晶X射线摇摆曲线中的半峰全宽为94″,接近已报道的块体CdZnTe晶体的结晶质量。
关键词：CdZnTe;;GaSb;;外延生长;;薄膜;;物理气相沉积;;热处理;;半导体
基金资助：国家重点研发计划(2022YFF0708100,2023YFF0716300);; 国家自然科学基金(52102009);; 陕西省自然科学基础研究计划(2022JQ-411)
