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作者：张翅腾飞;章嵩;龚若程;杨军伟;宋华平;
单位：湖北隆中实验室;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室;松山湖材料实验室;东莞市中科汇珠半导体有限公司;
摘要：4H-SiC晶圆表面的微划痕会使外延层中产生大量缺陷，但其线宽低于光学表征技术的极限，无法以无损光学检测的方法获得微划痕在晶圆上的分布规律。本研究基于经典成核理论，利用微划痕上的高指数晶面，通过溶液干燥析晶的方法，使KCl晶体优先成核于高表面能的高指数晶面。实验结果表明：当KCl溶液的浓度为0.013 mol/L时，溶液蒸发后的KCl晶体嵌于微划痕的沟壑内，使微划痕可以间接地被光学方法检测。当KCl溶液的浓度大于0.013 mol/L时，KCl晶体会结晶于没有微划痕的区域，干扰对微划痕的表征。本方法制备的KCl晶体仅吸附成核于4H-SiC表面，不与4H-SiC发生化学反应，通过RCA清洗工艺即可完全去除表面的KCl晶体，不影响晶圆的后续加工工艺。
关键词：4H-SiC;;微划痕;;KCl溶液;;成核理论;;高指数晶面;;表面能
基金资助：湖北省自然科学基金(2023AFB1000);; 材料复合新技术国家重点实验室(武汉理工大学)开放基金(2024-KF-18);; 广东省自然科学基金-面上项目(2022A1515012628)
