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作者：袁强华;任江枫;殷桂琴;
单位：西北师范大学物理与电子工程学院;
摘要：对比不同工艺参数条件下生长的石墨烯薄膜的形貌和品质，分别研究了高频功率、放电气压、气体流量比、生长时间、生长温度以及基底种类对双频放电的RF-PECVD制备的石墨烯薄膜品质影响。实验结果表明，石墨烯的缺陷程度随着高频功率的增加而降低，但是薄膜的厚度随着高频功率的增加而减小。在3 Torr及5 Torr的条件下，石墨烯薄膜存在着较多的边界状缺陷。甲烷/氩气流量比为10:30、生长时间为40 min时，能够生长出品质较好的石墨烯薄膜。生长温度对石墨烯薄膜的生长影响较大，在300℃时，镍基底表面无法生长出石墨烯薄膜，并且生长温度低于600℃时，都无法生长出品质较好的石墨烯薄膜。最后发现，相同的生长条件，在镍基底上生长的石墨烯薄膜厚度更小，但是铜基底生长的石墨烯薄膜缺陷更少，品质更好，这与薄膜在两种基底上不同的生长方式有关。
关键词：射频等离子体增强化学气相沉积;双频放电;石墨烯薄膜
基金资助：国家自然科学基金项目（12165019）
