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作者：张梦蝶;季雯;曹茹月;姜俊松;尹玉莲;谭琨;赵长辉;张召富;郭宇铮;唐曦;
单位：安徽大学物质科学与信息技术研究院;武汉大学工业科学研究院;剑桥大学工程系;
摘要：通过实验表征和理论计算为氮化镓功率器件中的材料缺陷和背栅效应之间提供了物理联系。首先制备了硅基氮化镓高电子迁移率晶体管；然后采用电流瞬态方法研究了器件中背栅效应下的缺陷能级，基于时间常数谱和阿伦尼乌斯定律分析，确定了三种主要的电子缺陷能级，分别为0.169、0.240和0.405 eV；最后，利用第一性原理计算研究了缺陷的可能结构。
关键词：背栅效应;;电流瞬态方法;;缺陷能级;;第一性原理计算
基金资助：安徽省高校协同创新项目（GXXT-2023-001）;; 安徽省自然科学基金（2308085QF212）;; 武汉大学电子制造与封装集成湖北省重点实验室开放基金（EMPI2023008）
