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作者：陈哲明;丁雨憧;邹少红;龙勇;石自彬;马晋毅;
单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所;
摘要：5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料，采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势，是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Smart-Cut~(TM)是制备硅基压电单晶薄膜材料的主要方法，键合工艺是其中的核心工序，键合质量决定了硅基压电单晶薄膜晶圆材料的质量，并影响器件性能。本文通过低温直接键合工艺，对等离子活化、兆声清洗、预键合、键合加固四道工序展开优化，最终实现了键合强度高达1.84 J/m~2、键合面积超过99.9%的高质量硅基钽酸锂异质晶圆键合。
关键词：硅基钽酸锂;;低温直接键合;;等离子活化;;兆声清洗;;预键合;;键合加固;;声表面波滤波器
基金资助：科工局项目(JPPT-XX)
