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作者：鲍爱达;马永强;郭鑫;
单位：中北大学电子测试技术国家重点实验室;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;
摘要：本文设计了一种GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构(vdWH),并用第一性原理计算系统地分析了该异质结构的几何、电子、输运性质。通过结合能、声子谱、从头算分子动力学(AIMD)模拟验证了所构建GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构的稳定性。详细计算了GaSe/ZnS vdWH界面性质中的平面平均电子密度差和平均静电势。结果表明，GaSe/ZnS vdWH是一种直接带隙为2.19 eV,载流子迁移率较高的异质结构。其中，沿x方向的电子迁移率可达1 394.63 cm~2·V~(-1)·s~(-1),而沿y方向的电子迁移率可达1 913.18 cm~2·V~(-1)·s~(-1),性能优异，有望应用于电子纳米器件。
关键词：第一性原理;;密度泛函理论;;GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构;;声子色散谱;;载流子迁移率
基金资助：国家自然科学基金(62204232)
